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應(yīng)用案例

首頁應(yīng)用案例醫(yī)療產(chǎn)品Microcrystal晶振,CC8A-T1A晶振,AT切晶振

    Microcrystal晶振,CC8A-T1A晶振,AT切晶振

  • 產(chǎn)品型號:62680522
  • 晶振頻率:24.000~50.000MHZ
  • 晶振尺寸:2.0*1.2*0.6mm 詳細(xì)資料參考PDF
  • 產(chǎn)品應(yīng)用: 貼片石英晶振最適合用于車載電子領(lǐng)域的小型表面貼片石英晶體諧振器.也可對應(yīng)有高可靠性要求的引擎控制用CPU的時鐘部分簡稱為時鐘晶體振蕩器,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞...
    微晶晶振環(huán)保基本理念:
    1.作為良好的企業(yè)市民,遵循本公司的行動方針,充分關(guān)心維護(hù)地球環(huán)境.遵守國內(nèi)外的有關(guān)環(huán)保法規(guī).
    2.保護(hù)自然環(huán)境,充分關(guān)注自然生態(tài)等方面的環(huán)境保護(hù),維持和保全生物多樣性.
    3.有效利用石英晶體,貼片晶振材料資源和能源,認(rèn)識到資源和能源的有限性,努力進(jìn)行石英晶振,有源晶體振蕩器,水晶振蕩子等原材料的有效利用.
    4為構(gòu)建循環(huán)型社會做出貢獻(xiàn),致力于減少廢棄物及廢棄物的再利用核再生循環(huán),努力構(gòu)建循環(huán)型社會.
    5.推進(jìn)晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓電石英晶體、有源晶體等元器件的環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮綜合實(shí)力,推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會的環(huán)境負(fù)荷做出貢獻(xiàn).
    6.建立環(huán)境管理系統(tǒng),充分運(yùn)用環(huán)境管理系統(tǒng),設(shè)定環(huán)境目的和目標(biāo),定期修正,不斷改善,努力預(yù)防環(huán)境污染.


Microcrystal晶振,CC8A-T1A晶振,AT切晶振,頻率24 – 50MHZ,封裝尺寸:2.0*1.2*0.6mm
微晶晶振規(guī)格 單位 CC8A-T1A晶振 石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率 f_nom 24 – 50MHZ 標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度 T_stg -55°C ~ +125°C 裸存
工作溫度 T_use -40°C ~ +85°C 標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率 DL 250μW Max. 推薦:1μW ~ 100μW
頻率公差 f_— l ±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)),
(±50 × 10-6 ~ ±100 × 10-6 可用)
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.hbdakangmei.com
頻率溫度特征 f_tem ±50 × 10-6/-20°C ~ +70°C 超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容 CL 3.0 / 9.0 / 16.0PF 不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR) R1 如下表所示 -40°C —  +85°C, DL = 100μW
頻率老化 f_age ±3 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年


    鹵化合物
    請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
    靜電
   
過高的靜電可能會損壞產(chǎn)品,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作。
   
在設(shè)計(jì)時
    機(jī)械振動的影響
    當(dāng)晶體產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動時,比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。
這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶體產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。

    PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo)
    (1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個獨(dú)立于晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時,機(jī)械振動程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
    (2) 在設(shè)計(jì)時請參考相應(yīng)的推薦封裝。
    (3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。
    (4) 請按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。

質(zhì)量政策
    微晶晶體振蕩器術(shù)語及應(yīng)用說明
    標(biāo)稱頻率:晶體振蕩器的中心或標(biāo)稱輸出頻率。
    封裝:晶體振蕩器從引腳通孔到表面貼裝類型封裝成各種類型。各種尺寸和功能適用于不同的應(yīng)用。
    頻率容差:在室溫下以百萬分率(ppm)表示的與標(biāo)稱頻率的偏差。(25°±5°C)
    頻率范圍:振蕩器類型或型號可提供的頻段。
    頻率穩(wěn)定度:相對于在溫度窗口25°C時測得的頻率(即0°C至+ 70°C)的最大允許頻率偏差。典型穩(wěn)定度為±0.01%(±100 ppm)。
    工作溫度:輸出頻率和其他電氣,環(huán)境特性符合規(guī)格的溫度范圍。
    老化:相對頻率在一段時間內(nèi)發(fā)生變化。這種頻率變化率通常是指數(shù)性的。通常情況下,最多1年的老化率為±5 ppm。
    存儲溫度:在不損壞或改變設(shè)備性能的情況下安全存放設(shè)備的溫度范圍(未施加電源電壓)。
    頻率與電源變化:當(dāng)電源電壓在指定限制內(nèi)??變化時,允許的最大頻率變化(典型值±10%Vcc或±5%變化)。
    電源電壓(Vdd max):可以安全施加到Vcc端子相對于地的最大電壓。TTL的最大電源電壓為5.5V,HCMOS的最大電源電壓為6V。
    輸入電壓(VIN):可安全施加到振蕩器任何輸入端的最大電壓。
    輸出高電壓(VOH):正常負(fù)載下振蕩器輸出端的最小電壓。
    輸出低電壓(VOL):適當(dāng)負(fù)載下振蕩器輸出端的最大電壓。
    電源電流(Icc):流入Vcc端子的電流相對于地。典型的電源電流在無負(fù)載情況下測量
    對稱或占空比:輸出波形在特定電平(TTL為1.4V,HCMOS為1 / 2Vcc或ECL為1/2波形峰值電平)時的對稱性。
    SYM = TH / T×100(%); 參見圖1。
    上升時間(Tr):在指定電平(HCMOS,ECL為20%至80%,TTL為0.4V至2.4V)下,從低電平到高電平轉(zhuǎn)換的波形上升時間。
    下降時間(Tf):在特定電平(HCMOS,ECL為80%至20%,TTL為2.4V至0.4V)下測量的從高電平到低電平轉(zhuǎn)換的波形下降時間。


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